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骁龙835快充搭载了更高规格的快充技术,兼容TypeC接口,较上一代快百分之二十。骁龙835采用先进的10纳米工艺,尺寸减小百分之三十五,功耗相比21降低了百分之二十五。骁龙835核心数有上一代的四核升级为八核,主频更高,内置的GPU更强。骁龙835相比821支持更高规格的基带和蓝牙5、0,对双摄像头支持更好,支持4K屏、8GB大内存。