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三极管Vceo与Vcbo

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三极管Vceo与Vcbo

VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。VCBO:基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压。1、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。2、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。3、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
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导读VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。VCBO:基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压。1、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。2、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。3、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。

VCBO:基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压。

1、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。

2、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

3、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

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VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。VCBO:基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压。1、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。2、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。3、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
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