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霍尔电势与什么成反比

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霍尔电势与什么成反比

霍尔电势与霍尔器件长度成反比。霍尔效应和霍尔功率传感器的基本原理霍尔效应指在磁场中的导体或半导体当有电流通过时其横向不仅受到力的作用同时还产生电压该电压称为霍尔电势。利用霍尔效应的固态电子器件。E.H.霍尔于1879年发现:一块矩形导体或半导体材料在磁感应强度为Bz的磁场中,在垂直于磁场的方向有电流Ix通过试件,在既垂直于磁场Bz、又垂直于电流Ix的方向将产生电场Ey,这就是霍尔效应。
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导读霍尔电势与霍尔器件长度成反比。霍尔效应和霍尔功率传感器的基本原理霍尔效应指在磁场中的导体或半导体当有电流通过时其横向不仅受到力的作用同时还产生电压该电压称为霍尔电势。利用霍尔效应的固态电子器件。E.H.霍尔于1879年发现:一块矩形导体或半导体材料在磁感应强度为Bz的磁场中,在垂直于磁场的方向有电流Ix通过试件,在既垂直于磁场Bz、又垂直于电流Ix的方向将产生电场Ey,这就是霍尔效应。

霍尔电势与霍尔器件长度成反比。霍尔效应和霍尔功率传感器的基本原理霍尔效应指在磁场中的导体或半导体当有电流通过时其横向不仅受到力的作用同时还产生电压该电压称为霍尔电势。

利用霍尔效应的固态电子器件。E.H.霍尔于1879年发现:一块矩形导体或半导体材料在磁感应强度为Bz的磁场中,在垂直于磁场的方向有电流Ix通过试件,在既垂直于磁场Bz、又垂直于电流Ix的方向将产生电场Ey,这就是霍尔效应。

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霍尔电势与霍尔器件长度成反比。霍尔效应和霍尔功率传感器的基本原理霍尔效应指在磁场中的导体或半导体当有电流通过时其横向不仅受到力的作用同时还产生电压该电压称为霍尔电势。利用霍尔效应的固态电子器件。E.H.霍尔于1879年发现:一块矩形导体或半导体材料在磁感应强度为Bz的磁场中,在垂直于磁场的方向有电流Ix通过试件,在既垂直于磁场Bz、又垂直于电流Ix的方向将产生电场Ey,这就是霍尔效应。
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