场效应管5n60c技术参数

5N60C是N沟道MOS场效应管，漏极电流为4、5A，脉冲电流允许18A，D-S耐压600V。功耗：33W，工作温度范围：-55°C to +150°C，封装类型：TO-220F，功率，Pd：33W，封装类型：TO-220F，常用于开关电源中作开关管。

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导读5N60C是N沟道MOS场效应管，漏极电流为4、5A，脉冲电流允许18A，D-S耐压600V。功耗：33W，工作温度范围：-55°C to +150°C，封装类型：TO-220F，功率，Pd：33W，封装类型：TO-220F，常用于开关电源中作开关管。

5N60C是N沟道MOS场效应管，漏极电流为4、5A，脉冲电流允许18A，D-S耐压600V。功耗:33W，工作温度范围:-55°C to +150°C，封装类型:TO-220F，功率，Pd:33W，封装类型:TO-220F，常用于开关电源中作开关管。

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