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砷化镓是什么晶体

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砷化镓是什么晶体

砷化镓是一种重要的半导体材料。属于第八族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,化学式GaAs。黑灰色固体,熔点1238摄氏度,它在600摄氏度以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5到6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器。
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导读砷化镓是一种重要的半导体材料。属于第八族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,化学式GaAs。黑灰色固体,熔点1238摄氏度,它在600摄氏度以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5到6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器。

砷化镓是一种重要的半导体材料。属于第八族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,化学式GaAs。黑灰色固体,熔点1238摄氏度,它在600摄氏度以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5到6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器

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砷化镓是一种重要的半导体材料。属于第八族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,化学式GaAs。黑灰色固体,熔点1238摄氏度,它在600摄氏度以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5到6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器。
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