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晶体三极管的电流放大原理

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晶体三极管的电流放大原理

晶体三极管的电流放大原理如下:1、发射区向基区扩散电子,由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子自由电子不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流。2、电子在基区扩散和复合,由于基区很薄,其多数载流子空穴浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。3、集电区收集从发射区扩散过来的电子,由于集电结反向偏置,内部形成了较大的内电场,在电场力作用下可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流。
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导读晶体三极管的电流放大原理如下:1、发射区向基区扩散电子,由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子自由电子不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流。2、电子在基区扩散和复合,由于基区很薄,其多数载流子空穴浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。3、集电区收集从发射区扩散过来的电子,由于集电结反向偏置,内部形成了较大的内电场,在电场力作用下可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流。

晶体三极管的电流放大原理如下:

1、发射区向基区扩散电子,由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子自由电子不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流。

2、电子在基区扩散和复合,由于基区很薄,其多数载流子空穴浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。

3、集电区收集从发射区扩散过来的电子,由于集电结反向偏置,内部形成了较大的内电场,在电场力作用下可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流。

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晶体三极管的电流放大原理

晶体三极管的电流放大原理如下:1、发射区向基区扩散电子,由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子自由电子不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流。2、电子在基区扩散和复合,由于基区很薄,其多数载流子空穴浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。3、集电区收集从发射区扩散过来的电子,由于集电结反向偏置,内部形成了较大的内电场,在电场力作用下可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流。
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