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三极管工作在开关状态的条件

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三极管工作在开关状态的条件

半导体三极管有三种工作状态:放大、截止和饱和。三种工作状态在开光状态对应的条件不同。当发射极和集电极的电压超过一定数值后,Ic=βIb,晶体管具有电流放大作用,处于放大区,发射极处于正向偏置,集电极处于反向偏置。当Ib=0时,Ic=0。对NPN型硅管,当发射极电压Ube0.5V时,管子已经开始截止,但为了使晶体管可靠截止,通常给发射极加上反向偏置电压,这样发射极和集电极都处于反向偏置,晶体管处于可靠截止状态。当基极电流的变化对集电极电流的影响很小,两者不成比例时,晶体管处于饱和状态。此时,β不适用。发射极和集电极都是正向偏置。
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导读半导体三极管有三种工作状态:放大、截止和饱和。三种工作状态在开光状态对应的条件不同。当发射极和集电极的电压超过一定数值后,Ic=βIb,晶体管具有电流放大作用,处于放大区,发射极处于正向偏置,集电极处于反向偏置。当Ib=0时,Ic=0。对NPN型硅管,当发射极电压Ube0.5V时,管子已经开始截止,但为了使晶体管可靠截止,通常给发射极加上反向偏置电压,这样发射极和集电极都处于反向偏置,晶体管处于可靠截止状态。当基极电流的变化对集电极电流的影响很小,两者不成比例时,晶体管处于饱和状态。此时,β不适用。发射极和集电极都是正向偏置。

半导体三极管有三种工作状态:放大、截止和饱和。三种工作状态在开光状态对应的条件不同。

当发射极和集电极的电压超过一定数值后,Ic=βIb,晶体管具有电流放大作用,处于放大区,发射极处于正向偏置,集电极处于反向偏置。当Ib=0时,Ic=0。对NPN型硅管,当发射极电压Ube< 0.5V时,管子已经开始截止,但为了使晶体管可靠截止,通常给发射极加上反向偏置电压,这样发射极和集电极都处于反向偏置,晶体管处于可靠截止状态。当基极电流的变化对集电极电流的影响很小,两者不成比例时,晶体管处于饱和状态。此时,β不适用。发射极和集电极都是正向偏置。

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半导体三极管有三种工作状态:放大、截止和饱和。三种工作状态在开光状态对应的条件不同。当发射极和集电极的电压超过一定数值后,Ic=βIb,晶体管具有电流放大作用,处于放大区,发射极处于正向偏置,集电极处于反向偏置。当Ib=0时,Ic=0。对NPN型硅管,当发射极电压Ube0.5V时,管子已经开始截止,但为了使晶体管可靠截止,通常给发射极加上反向偏置电压,这样发射极和集电极都处于反向偏置,晶体管处于可靠截止状态。当基极电流的变化对集电极电流的影响很小,两者不成比例时,晶体管处于饱和状态。此时,β不适用。发射极和集电极都是正向偏置。
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