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不全是，电感电容不是用pn结做的，金属间电容精度比较高，一般在数百fF到数十pF，内部结构不是pn结，MOS管的栅电容电容大但精度差，一般芯片内部空余的地方都会填满MOS电容用于电源退耦，但与片外退耦电容相比还是小的可怜。
diode和BJT是用PN结做的；MOS管通过形成反型层导电，不过MOS管与硅衬底之间的隔离使用反偏PN结实现的。
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