1、杂质半导体按导体电流类型分为百电子型半导体和空穴型半导体
2、N型半导体,以电子为多数载流子的半导材料,n为negative(负)之意。
n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质,使禁带中出现杂质能级,若杂质原子能给出电子的,其能级为度施主能级,该半导体为n型半导体。如将V族元素砷杂质加入到IV族半导体硅中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体,电子激发进入导带成为主要载流子。例如,内掺入第15(VA)族元素(磷、砷、锑、铋等)的硅与锗。也有某些固体总是n型的,如ZnO,TiO,V2O5和MoO3等。
P型半导体,也称为空穴型半导体。
P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素(容如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强